[发明专利]一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202011191650.0 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112117291B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 袁恺;陈世杰 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 刘星
地址: 401332 重庆市沙坪*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种背照式电荷域全局快门图像传感器及其制作方法,该图像传感器包括衬底、光电二极管、电荷存储节点、深沟槽隔离结构、介质层及电荷传输晶体管,其中,光电二极管及电荷存储节点均位于衬底中,且在水平方向上间隔预设距离,深沟槽隔离结构位于光电二极管与电荷存储节点之间,并在垂直方向上贯穿衬底,电荷传输晶体管位于介质层中,且电荷传输晶体管在衬底上的垂直投影与光电二极管及电荷存储节点均部分重叠。本发明采用金属遮光层和贯通衬底的背面深沟槽隔离结构将电荷存储节点完全遮蔽,与光电二极管实现衬底内的完全隔离,并在衬底外制备传输晶体管来实现光电二极管到电荷存储节点的光电子传输,可以有效抑制寄生光效应的影响。
搜索关键词: 一种 背照式 电荷 全局 快门 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
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