[发明专利]基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法在审
| 申请号： | 202011181251.6 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289920A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王仕建;徐达;王雪深;李劲劲 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H01L39/16 | 分类号： | H01L39/16;H01L39/22;H01L39/24;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 方晓燕 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法。每个第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第一端。每个第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第二端。环路结构为具有第一端和第二端的不封闭环路。通过环路结构将第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构与第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构连接，使得SQUID环路中形成串联电感结构。从而，当获得一个磁通的时候，SQUID环路的变化为磁通量子Ф0的整数倍，不会对V‑Ф0曲线(周期是Ф0)有任何改变，进而能有效避免SQUID环路的相位偏移，解决了并联型电感结构导致的相位偏移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 squid 阵列 超导 激励 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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