[发明专利]一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法和系统

摘要

本发明公开了一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法，包括如下步骤：S1.首先将硅片平放在载板上并输送进入工艺腔；S2.再将工艺腔抽真空；S3.然后向工艺腔内通入工艺气体，并对工艺气体和硅片同时快速加热至反应温度，工艺气体在高温低压真空中与硅片表面快速反应生成超薄的氧化硅薄膜。本发明采用水平板式系统将硅片输送进入工艺腔，并通过红外等直接加热方式快速达到反应温度以实现高温氧化制备超薄氧化硅薄膜，有效解决了传统热氧化法因间接加热产生的成膜速度慢、能耗大、工艺时间长、产能低等问题，且能避免使用等离子体造成的硅片轰击损伤、腔体内部及载板容易附着反应物后出现掉渣、设备维护频率高、成本高等难题。