[发明专利]一种波导光栅耦合器阵列有效
| 申请号： | 202011105074.3 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112415652B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 关宝璐;张炜阳;黎豪 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种波导光栅耦合器阵列，包括光栅层、波导层和氧化层；其中，波导层位于氧化层的上方，光栅层在波导层上刻蚀而成；光栅层的刻蚀深度相同，结构对称；光栅层通过将TE模式光栅耦合器中的TE光栅和TM模式单周期光栅耦合器中的TM光栅之间的差集部分刻蚀掉，交集部分刻蚀出一个刻蚀孔形成。本发明实施例通过刻蚀更小的光栅结构将针对TE模设计的光栅耦合器和TM模设计的光栅耦合器结合起来，满足在两个不同的周期内填充系数相同，进而满足波导层对TE、TM有效折射率相同，使用同一光栅结构实现垂直耦合到波导和从波导通过光栅耦合到外部的偏振无关，进而实现双向传输耦合的偏振无关，结构简单，制作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 光栅 耦合器 阵列 | ||
【主权项】：
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