[发明专利]晶体生长装置及晶体生长方法在审
| 申请号： | 202011101116.6 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112746315A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及晶体生长装置及晶体生长方法。本实施方式的晶体生长装置具备：坩埚；加热器，设置于所述坩埚的外侧，包围所述坩埚；及线圈，设置于所述加热器的外侧，包围所述加热器，所述加热器的所述坩埚侧的内表面具备第1区域和比所述第1区域远离所述坩埚的外侧面的第2区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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