[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法有效
| 申请号： | 202011098020.9 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112225565B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李岢 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钨硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将硅化钨粉和硅粉进行混合，得到混粉；(2)将步骤(2)得到混粉进行热压烧结，得到所述钨硅靶坯；所述热压烧结包括依次进行的第一升温、第二升温和加压处理。本发明提供的方法，通过对制备原料的重新设计，同时采用特定热压烧结过程进行制备钨硅靶坯，制备得到了致密度≥99％的钨硅靶坯，靶坯无缺陷且微观结构均匀，利用其生产的钨硅靶材有优异的溅射使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钨硅靶坯 制备 方法 | ||
【主权项】：
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