[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法有效
申请号: | 202011090280.1 | 申请日: | 2020-10-13 |
公开(公告)号: | CN112271221B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层,包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜,所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小,所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法,以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜,由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率,通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率,且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 具备 微结构 三层 氮化 硅减反层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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