[发明专利]一种具有球状二硫化钼的微弧氧化层及其制备方法在审
申请号: | 202011045547.5 | 申请日: | 2020-09-28 |
公开(公告)号: | CN112111730A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 陈永楠;杨泽慧;张震;王楠;张龙;徐义库;赵秦阳;姜超平;陈宏;郝建民 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;C25D11/26 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李红霖 |
地址: | 710064*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有球状二硫化钼的微弧氧化层及其制备方法,属于表面处理领域。本发明的制备方法,利用微弧氧化工艺在钛合金制备微弧氧化膜层,即陶瓷膜层,具有高硬度,提高了钛合金的承载能力;之后采用水热合成法在微弧氧化膜层上原位生成球状二硫化钼,在硬质膜层外上生成润滑膜层,使得钛合金在使用中的耐磨、减摩性质显著提高,扩大了钛合金的应用领域。另一方面,通过控制水热反应温度、时间,能够提高二硫化钼的产率和利用率,获得具有封孔作用的、球形度良好的球状二硫化钼层,微弧氧化膜层的微孔中填充有球状二硫化钼,极大减小了摩擦系数;本发明具有很强的推广性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 球状 二硫化钼 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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