[发明专利]集成电路装置在审
| 申请号： | 202011031328.1 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582428A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 钟淑维;王彦森 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/13;H01L21/84 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种根据本公开的集成电路(IC)装置，包括：一基板，包含第一表面以及与第一表面相对的第二表面；一重布层，被设置于第一表面上且包括导电特征；一钝化结构，被设置于重布层上；一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，被嵌入于钝化结构中；一虚拟MIM特征，被嵌入于钝化结构中且包括一开口；一顶部接触垫，位于钝化结构上；一接触通孔，在导电特征与顶部接触垫之间延伸；以及一贯穿通孔，延伸穿过钝化结构及基板。虚拟MIM特征与MIM电容器分隔，且贯穿通孔延伸穿过虚拟MIM特征的上述开口，且不接触虚拟MIM特征。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
