[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011024563.6 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112366261B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。交替层叠的AlGaN子层与第一GaN子层在生长过程中可以释放一定的应力，第一复合层内会积累的位错缺陷较少。缓冲层还包括层叠在第一复合层上的第二复合层，第二复合层的结构可以为交替层叠的第二GaN子层与MgN子层、交替层叠的第二GaN子层与BN子层。Mg原子、BN子层中的B原子粒径均较小，在生长时可以填充晶体内缺陷和位错产生的空位，从而减少位错和缺陷的形成，缓冲层的晶体质量得到提高，最终得到的发光二极管外延片的发光效率也得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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