[发明专利]分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法在审
| 申请号： | 202011023027.4 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112160030A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 高达;王经纬;周朋;刘铭;宁提;谭振 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B23/06;C30B29/48 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。分子束外延系统用于在衬底上外延生长至少一种外延物质，分子束外延系统包括：束流源、第一加热组件和第二加热组件，束流源用于向衬底发射外延物质，第一加热组件设于衬底的生长面的背面，用于从背面加热衬底；第二加热组件设于衬底的生长面的正面，用于从正面加热衬底。根据本发明的分子束外延系统，可以通过第一加热组件和第二加热组件对衬底进行加热，使衬底快速达到目标温度。减少工艺时间，减少较高温度对材料表面的影响，提高了分子束外延生长质量，可适用于分子束外延生长材料生长参数差异性较大材料的超晶格结构、异质结结构的材料当中。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 外延 系统 表面 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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