[发明专利]一种高储氢密度镁基储氢材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010996711.4 申请日: 2020-09-21
公开(公告)号: CN112265957B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 王泽渊;曾辉;张浩;程臣;陈思安 申请(专利权)人: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)
主分类号: C01B3/00 分类号: C01B3/00
代理公司: 武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙) 42221 代理人: 刘念涛;宋国荣
地址: 430064 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种高储氢密度镁基储氢材料的制备方法,采用变温机械球磨工艺,将MgH2与活化好的TiFe合金以不同比例在不同的填充气体下进行渐进式变温机械球磨,实现一种逐步渐进的温和的球磨条件,得到MgH2‑TiFe纳米镁基储氢材料。所得储氢材料的吸放氢温度显著降低,起始放氢温度为466 K,放氢峰值温度为552 K。纳米氢化镁制备工艺操作简便,操作温度低,解决了以往制备纳米氢化镁所需操作温度高、氢化物晶粒偏大的问题,同时改善了纳米镁基储氢材料的充放氢性能,具有良好的发展前景。
搜索关键词: 一种 高储氢 密度 镁基储氢 材料 制备 方法
【主权项】:
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