[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 202010972764.2 申请日: 2020-09-16
公开(公告)号: CN112904246A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 斋藤祐太;平林启;工藤良弘 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种磁传感器,其包括:包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部,磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面,在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形,该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边,在从密封部的第1面侧的俯视图中,在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
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