[发明专利]基于忆阻器簇的3D交叉阵列结构

摘要

本发明公开了一种基于忆阻器簇的3D交叉阵列结构，包括若干基本单元，所述基本单元包括开关单元和存储单元，存储单元由至少一个簇结构组成，每一个簇结构相接于节点M，输出端口为Ci，通过设置电压差VMC控制簇的编程和读取，读取由Ci端的读取电流来完成。本发明的3D交叉阵列由基本单元相连组成，通过控制其行线、列线和纵线可以控制3D阵列中基本单元的编程和读取；开关单元由两个相同的忆阻器反接组成，有开启和闭合两种状态，可以使得这种纯忆阻器的3D交叉阵列结构减小漏电流的影响。该3D交叉阵列结构仅使用纳米级材料可以达到低功耗、高密度、强稳定性的存储，可以应用于计算机、手机等需要用到存储器的场合。