[发明专利]一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置在审
| 申请号： | 202010910109.4 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112069759A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 唐瑜 | 申请（专利权）人： | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述电流测量值，获取各漏极电压下的实际跨导曲线；基于GaN晶体管的Angelov模型，获取各漏极电压下的拟合跨导曲线；根据各漏极电压下的实际跨导曲线与拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；根据GaN晶体管的Anglov模型与表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。本发明实施例能够提高电路设计的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 angelov 模型 gan 晶体管 建模 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
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