[发明专利]超高比容电极箔的制备方法、超高比容电极箔以及电解电容器在审
| 申请号： | 202010711362.7 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111962075A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陈玉奇;袁美蓉;陈宇锋;徐永进;王文宝;秦力;欧永聪;陈淮 | 申请（专利权）人： | 肇庆市高要区华锋电子铝箔有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C25D11/04;C25D11/24;C23C18/12;H01G9/045;H01G9/055 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 彭佳伟 |
| 地址： | 526100 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高比容电极箔的制备方法，该方法制得的超高比容电极箔以及包括上述超高比容电极箔的电解电容器。超高比容电极箔的制备方法包括：将腐蚀金属箔浸泡到含硅溶液中，浸泡完成后清洗干净并进行第一次烧结处理，得到第一半成品；将第一半成品清洗干净后进行第二次化成处理，并且第一半成品清洗干净后进行第二次烧结处理，得到第二半成品；对第二半成品进行后处理，得到所需的超高比容电极箔。这种超高比容电极箔的制备方法将腐蚀金属箔浸泡到含硅溶液中，从而使得含硅溶液结合到腐蚀金属箔的表面，经过第一次烧结处理，硅和腐蚀金属箔的表面发生进行晶型转变形成含硅氧化物层，从而极大的提高超高比容电极箔的比容。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 比容 电极 制备 方法 以及 电解电容器 | ||
【主权项】：
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