[发明专利]磁场传感器、系统和斜入射沉积制造方法在审
| 申请号： | 202010695571.7 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112305471A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·马劳斯卡;约尔格·科克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01D5/16;G01P3/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁场传感器，所述磁场传感器包括以半桥配置布置的至少两个磁阻(MR)传感器元件。所述MR传感器元件中的每一个包括具有磁各向异性与复合磁化的磁区。使用斜入射沉积(OID)技术产生所述磁各向异性，其中相对于与所述磁场传感器的表面垂直朝向的参考线以非零沉积角沉积所述磁区。一种系统，所述系统包括编码器以及半桥配置的传感器元件。所述编码器响应于所述编码器的活动而产生具有预定磁变的外部磁场，通过所述传感器元件检测所述磁场。所述传感器元件的所述复合磁化在垂直于所述外部磁场的方向的优选方向上通过OID对齐，而不是利用提供偏置磁场的永久磁体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 系统 入射 沉积 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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