[发明专利]一种超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺有效
| 申请号： | 202010693890.4 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799178B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开一种超薄晶圆双面电镀铜厚膜工艺，包括以下步骤：S1、晶圆正面键合环状边缘的玻璃载板结构，背面减薄；S2、晶圆背面离子植入后镀上金属层；S3、涂布PI膜，按切割道图形曝光、显影后形成网格状PI；S4、去除玻璃载板中间较薄的部份及黏着层，正面制作电镀铜的开口图案；S5、双面电镀Cu厚膜；S6、去除正面光阻及背面PI膜后，蚀刻去除厚膜铜区之外的金属层；S7、用SF |
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| 搜索关键词： | 一种 超薄 双面 镀铜 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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