[发明专利]一种低渗透污染场地增渗过程监测方法在审

专利信息
申请号: 202010633134.2 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN111735494A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 薛强;陈新;李江山;王琳玲;万勇;马梓涵 申请(专利权)人: 中国科学院武汉岩土力学研究所
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02;G06F17/11
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 张晓冬
地址: 430071 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种低渗透污染场地增渗过程监测方法,包括以下步骤:对低渗透污染场地进行勘查;对低渗透污染场地进行无水压裂与支撑剂充填;采集无水压裂与支撑剂充填完成后的低渗透污染场地的磁场分布及电导率分布;根据磁场分布及电导率分布进行低渗透污染场地的地层信息反演;根据地层信息反演的结果调整压裂作业的工艺参数。该监测方法通过监测污染场地增渗过程获取数据用于压裂工艺包括泵入压力、流量、同一位置的压裂次数及间隔时间,焖井时间,支撑剂泵入时间与压力等参数优化,为低渗透污染场地压裂增渗提供参考和依据。
搜索关键词: 一种 渗透 污染 场地 过程 监测 方法
【主权项】:
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