[发明专利]一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法有效
| 申请号： | 202010631985.3 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111710519B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 吕竹风;黄家炽 | 申请（专利权）人： | 宁德市星宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 董晗 |
| 地址： | 352100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括将厚度为8～12mm的基础钕铁硼磁体经稀无机酸溶液处理后进行干燥；将扩散合金片Pr |
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| 搜索关键词： | 一种 扩散 制备 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
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