[发明专利]硅基锗雪崩光电探测器阵列及其制备方法

摘要

本申请提供一种硅基锗雪崩光电探测器阵列及其制备方法，该探测器阵列包括：具有高掺杂的硅衬底；SACM‑APD器件单元，其在所述硅衬底上呈阵列状排布；在所述硅衬底表面形成外延结构；贯穿所述外延结构且隔离所述SACM‑APD器件单元的第一沟槽结构，贯穿所述外延结构且形成通孔电极的第二沟槽结构，所述第一沟槽结构与第二沟槽结构沉淀绝缘介质；在所述硅衬底背离所述外延结构的一面形成有网格结构N电极，所述N电极的格眼对应所述SACM‑APD器件单元。本申请通过在所述硅衬底背离所述外延结构的一面形成有网格结构N电极，确保了硅基锗雪崩光电探测器阵列中各个SACM‑APD器件单元偏置条件相同，提升了硅基锗雪崩光电探测器阵列一致性和整体性能。