[发明专利]存储器装置在审
| 申请号： | 202010580264.4 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113257998A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开相变存储器装置及其制造方法，所述存储器装置包括：衬底；底部电极，设置在所述衬底上方；顶部电极，设置在所述底部电极上方；以及相变层，设置在所述顶部电极与所述底部电极之间。所述相变层包含硫族化物Ge‑Sb‑Te(GST)材料，所述Ge‑Sb‑Te材料包含至少30原子％的Ge，并且掺杂有包含N、Si、Sc、Ga、C或其任意组合的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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