[发明专利]一种基于频率约束的广义旁瓣对消宽带波束形成方法有效
| 申请号： | 202010571766.0 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111817765B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谢菊兰;饶申宇;郭明宇;邓宇昊;冯雅栋;何子述;陈竹梅;胡瑞贤 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H04B7/06 | 分类号： | H04B7/06;G01S13/02;G01S7/292;G01S7/35 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 邹裕蓉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于频率约束的广义旁瓣对消宽带波束形成方法，通过对GSC结构主、辅通道的权向量在频域上进行一个新的约束即可使得干扰被抑制的同时期望信号无失真通过。通过对主、辅通道阵元数进行控制，可以灵活的改变算法的性能，在不会浪费自由度的同时可以降低算法的计算量，进而提升算法的实用性。本发明通过约束矩阵直接对辅助通道权向量进行约束，约束矩阵会随着目标信号和阵列的不同而改变，因此得到的辅助通道权向量是最适于当前环境的，这也是保障算法具有高性能的前提。本发明将频域约束的思想应用在无需预延迟的广义旁瓣对消的宽带波束形成方法中，计算代价小且能最大程度地抑制干扰和噪声信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 频率 约束 广义 对消 宽带 波束 形成 方法 | ||
【主权项】：
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