[发明专利]多功能存储电路和集成电路芯片有效
| 申请号： | 202010563369.9 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111723045B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 刘云搏;丛伟林;段清华;王玉嫣;余梅;李建秋 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F15/76 | 分类号： | G06F15/76;G06F15/177 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多功能存储电路和集成电路芯片，涉及集成电路技术，本发明的多功能存储电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管，第四反相器和第五反相器，各MOS管的衬底接地。本发明通过配置可分别实现SRAM、RAM、ROM、锁存器、触发器以及移位寄存器等功能，增强FPGA的灵活性和资源利用率、提高FPGA的功能/面积比，有利于亿门级FPGA芯片的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 多功能 存储 电路 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
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