[发明专利]一种低面电阻率和高氧化稳定性的含氟聚芳醚基阴离子交换膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010555627.9 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111662446A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈栋阳;李艳琰;陈煜 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C08G65/48 | 分类号： | C08G65/48;C08G65/40;H01M8/103;H01M8/1039;H01M8/1069;H01M8/1072;H01M8/1086;H01M8/18 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低面电阻率和高氧化稳定性的含氟聚芳醚基阴离子交换膜及其制备方法。本发明将四胺基双酚芴、双酚芴与十氟联苯在室温下缩聚合成四胺基含氟聚芳醚化合物，然后将其与溴己基季铵盐化合物QA‑6C反应，得到密集双季铵盐离子侧链型含氟聚芳醚化合物；再将所得密集双季铵盐离子侧链型含氟聚芳醚化合物溶解于极性非质子溶剂后，采用溶液浇铸法浇铸成膜，即得所述低面电阻率和高氧化稳定性的含氟聚芳醚基阴离子交换膜。该含氟聚芳醚基阴离子交换膜在相似离子交换容量下的面电阻率比普通聚芳醚基阴离子交换膜低，氧化稳定性比普通聚芳醚基阴离子交换膜高，在全钒液流电池中有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 氧化 稳定性 含氟聚芳醚基 阴离子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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