[发明专利]MgO-TiO烧结体靶及其制造方法在审
| 申请号： | 202010534063.0 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111792919A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高见英生;中村祐一郎;荒川笃俊;荻野真一 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/04 | 分类号： | C04B35/04;C04B35/46;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及MgO‑TiO烧结体靶及其制造方法。一种MgO‑TiO烧结体，其含有25～90摩尔％TiO，其余包含MgO和不可避免的杂质。本发明的课题在于提供一种成膜速度快、且能够进行粉粒产生少的直流(DC)溅射的高密度靶及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | mgo tio 烧结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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