[发明专利]一种双层中空结构的多孔碳-NiFe2

摘要

本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域，且公开了一种双层中空结构的多孔碳‑NiFe2O4电磁屏蔽材料，包括以下配方原料及组分：纳米NiFe2O4‑石墨烯复合材料、聚苯乙烯微球、表面活性剂、正硅酸乙酯、交联剂。该一种双层中空结构的多孔碳‑NiFe2O4电磁屏蔽材料，NiFe2O4具有良好的纳米形貌，均匀地包覆在氧化石墨烯的表面，产生界面极化效应和偶极子极化效应，对电磁辐射进行电介质损耗，NiFe2O4的磁导率很高，形成的磁损耗和电介质损耗达到良好的阻抗匹配，对电磁辐射有效的衰减和吸收，空腔状聚苯乙烯微球通过AlCl3超交联、热裂解碳化和氢氟酸刻蚀，得到双层中空结构的多孔碳‑NiFe2O4电磁屏蔽材料，电磁波可以在双层中空结构和多孔碳孔隙结构不断进行反射和衰减。