[发明专利]一种纠检错后具有自动回写功能的SRAM电路及回写方法有效
| 申请号： | 202010524262.3 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111694691B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谢成民;李立 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纠检错后具有自动回写功能的SRAM电路及回写方法，包括EDAC解码器、时序控制电路、地址锁存模块、地址译码器、写控制电路、读出锁存模块和存储阵列，解决了SRAM在恶劣环境中的软错误问题，在并不增加额外的外部控制端口的情况下，提高SRAM的可靠性，减少使用SRAM的系统复杂度。当读出数据时监测到错误后，在当前正常读周期内能够自动完成对存储阵列中的错误纠正，达到SRAM抗软错误能力从而提高可靠性的作用。本发明的EDAC纠检错后自动回写的SRAM电路结构既适用于普通SRAM的读写，也适用于对SRAM的定时刷新，而不需要额外的系统性能开销。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检错 具有 自动 功能 sram 电路 方法 | ||
【主权项】：
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