[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

摘要

一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结，且宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料的结界面设置有阻挡层，该阻挡层用于阻挡宽禁带氧化物半导体材料中的元素向非晶硅材料扩散。本申请通过采用由宽禁带氧化物半导体材料与非晶硅材料形成的半导体异质结结构，在300纳米至650纳米的波长范围内，都有较高的光吸收和电流转化效率，量子效率高；同时，通过在结界面中加入阻挡层结构，使得光电探测器在较大偏压与较高温度下的暗电流能保持稳定，探测准确性、稳定性远高于非晶硅同质结PIN；并且制备工艺与现有TFT背板兼容，具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。