[发明专利]包含堆叠式存储器阵列的构造及其形成方法有效
| 申请号： | 202010516766.0 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111653586B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B63/10 | 分类号： | H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包含堆叠式存储器阵列的构造。一些实施例包括具有第一存储器阵列层叠及在其上方的第二存储器阵列层叠的构造。第二存储器阵列层叠与第一存储器阵列层叠在一或多个操作特性、间距及/或一或多个结构参数方面不同；结构参数包括不同材料及/或材料的不同厚度。一些实施例包括具有沿着第一方向延伸的第一系列及第三系列的存取/感测线及在第一系列与第三系列之间沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第二系列的存取/感测线的构造。第一存储器单元是在第一系列与第二系列的存取/感测线之间且布置成第一存储器阵列层叠。第二存储器单元是在第二系列与第三系列的存取/感测线之间且布置成第二存储器阵列层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 堆叠 存储器 阵列 构造 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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