[发明专利]一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010464304.9 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111653404B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 史丙强;刘磊;马丹;宿云婷 | 申请(专利权)人: | 烟台正海磁性材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/06;C22C38/04;C22C38/12;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/16 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 聂稻波;吕少楠 |
地址: | 264006 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。所述钕铁硼磁体以化学式R1‑R2‑Fe‑M‑B表示,所述钕铁硼磁体具有高矫顽力区域和高剩磁区域的复合结构;其中,R1为至少含有Nd的稀土元素,R2为至少含有Dy和/或Tb的重稀土元素,M为至少含有Co的过渡金属元素。该磁体可以采用少量的Dy/Tb,大幅提高磁体的高温耐减磁能力,且抑制磁体磁通的降低,可适用于嵌入式的高速电机。制备该磁体的方法还可以大幅提高材料的利用率以及生产效率,具备量产可行性。 | ||
搜索关键词: | 一种 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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