[发明专利]基于人工神经突触功能的双层多孔氧化物结构的制备方法有效
| 申请号： | 202010460184.5 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111725398B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 黄安平;高勤 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述一种基于人工神经突触功能的双层多孔氧化物结构的制备，该器件由顶端电极，氧化物层及底端电极构成。本发明具有如下优点：1、仿生了一种类海绵结构的多孔氧化硅结构；2、在多孔氧化硅表面生长了一层离子型/离子掺杂型多孔氧化物层，构成双层多孔氧化物结构；3、该双层多孔结构接触的界面处呈现出小孔围绕大孔的结构。该结构表现不仅表现出优异电学性能，并能能够模拟神经突触的基本功能，为忆阻机理的探究、新型突触器件的构筑提供了研究路径。本发明的忆阻器具有优异的电学性能。本发明制备方法简单，性能优异，在高密度存储计算，人工智能领域应用广泛，为探索新型的类脑神经的工作机制提供了另辟新径。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 神经 突触 功能 双层 多孔 氧化物 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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