[发明专利]一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法有效

专利信息
申请号: 202010412061.4 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111545428B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 张雷;俞瑞仙;刘光霞;陈成敏;程雪;赵刚 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: B05D1/26 分类号: B05D1/26;B05D3/02;C09D1/00;C09D163/00;C30B29/40
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 杨磊
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法,包括步骤如下:将耐高温能溶性物质溶解成溶液,然后滴涂到氮化铝籽晶背部表面,使用匀胶设备使溶液均匀分布在氮化铝籽晶背面,烘干,即完成氮化铝籽晶背部镀膜。通过以上步骤最终在氮化铝籽晶背部得到耐高温、防背部升华的薄膜涂层。本发明工艺简单、易操作,成本低廉,且籽晶背部涂层与籽晶紧密结合,解决了传统籽晶粘结工艺中籽晶与胶层及籽晶托之间产生的胶层气孔问题引起的背部升华缺陷,提高了氮化铝的结晶质量。
搜索关键词: 一种 用于 氮化 铝单晶 生长 籽晶 背部 镀膜 方法
【主权项】:
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