[发明专利]具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关在审
| 申请号： | 202010330383.4 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111865283A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | Y·阿特赛尔;A·塞利克 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/689;H03K17/691 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中，RF开关包括多个晶体管，并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时，所有晶体管均配置为导通状态；当RF开关以低功率模式操作时，所有晶体管均配置为截止状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 泄漏 电流 插入损耗 功率 射频 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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