[发明专利]一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法有效
| 申请号： | 202010196281.8 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111432093B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 宋博;喻义淞;温建新;王勇 | 申请（专利权）人： | 成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/217 | 分类号： | H04N5/217;H04N5/374;H04N5/361;H04N5/369 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法，包括如下步骤：S01：将CMOS图像传感器置于全黑环境中，设置不同的曝光条件，获得对应图像的暗电流像素值；以像素阵列中其中一个像素点作为基准点，计算像素阵列中其余像素点相对于基准点暗电流像素值的比例，并将对应比例标记在图像中，形成暗电流网络；S02：在模拟信号处理模块中采用AFB对有效像素阵列中的像素点进行粗校正；S03：在暗电流网络中通过数字算法计算有效像素阵列中每个像素点的暗电流校正值AFB’，在数字信号处理模块中采用AFB’对有效像素阵列的像素值进行精准校正。本发明提供的一种CMOS图像传感器的暗电流校正方法，对于暗电流校正精度高，校正结果也更加符合实际应用情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 电流 校正 方法 | ||
【主权项】：
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