[发明专利]一种羟基修饰无定形SiOx壳层包覆纳米硅负极材料、制备方法及负极片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010192833.8 申请日: 2020-03-18
公开(公告)号: CN111342027A 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 慈立杰;郭建光;王预 申请(专利权)人: 深圳索理德新材料科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/052;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳智趣知识产权代理事务所(普通合伙) 44486 代理人: 崔艳峥
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种羟基修饰无定形SiOx壳层包覆纳米硅锂离子电池负极材,是外表包覆有一层为0.5‑5纳米的羟基修饰无定形SiOx层的纳米单质硅颗粒,纳米单质硅颗粒的粒径为20‑60nm。所述材料通过以下方法制得:1)、配制乙醇水溶液;2)、向上述溶液中加入纳米硅颗粒,超声,形成均一的悬浊液;3)、将悬浊液静置,超声处理4)、将纳米硅颗粒和乙醇水溶液分离,将纳米硅材料置于真空烘箱中烘干,即可得到所述材料。本发明制得的材料,由厚度均匀的无定形SiOx包覆,对硅体积膨胀的抑制效果好,可逆容量低,且本发明所用的制备方法工艺简单,产品性能稳定,得率高,成本可控,材料可循环使用,对环境更友好。
搜索关键词: 一种 羟基 修饰 无定形 siox 壳层包覆 纳米 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
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