[发明专利]阵列基板在审
| 申请号： | 202010191364.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370427A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板，包括:基板、缓冲层、介电层、平坦化层、第一电极以及像素限定层。通过在缓冲层中对应所述主动层沟道处设置a‑Si(非晶硅)，作为后续主动层在ELA(准分子镭射退火)结晶时的晶核，同时要求a‑Si位于主动层沟道的正下方，宽度和长度和主动层沟道的宽度和长度相等，主动层沟道处结晶时会以正下方的a‑Si为晶核，这样可以使主动层沟道实现ELA的定点结晶，使晶粒增大，晶界减少，大幅度改善ELA结晶的均一性，同时改善开关TFT和驱动TFT电性均一性，从而提升LTPS的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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