[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的光电器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010179176.3 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111061072A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;崔国新;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的光电器件的制备方法，包括如下步骤：在铌酸锂薄膜上的涂布刻蚀图案中转层；对所述刻蚀图案中转层进行光刻、显影，得到要制作的波导的图案；继续刻蚀，在所述铌酸锂薄膜刻蚀出所述波导的图案。通过该制备方法制得的光电器件具有光传输一致性好，损耗低，集成度高的优点。本申请还提供一种基于铌酸锂薄膜的光电器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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