[发明专利]一种量子阱结构及其生长方法

摘要

本申请属于半导体材料技术领域，特别是涉及一种量子阱结构及其生长方法。为了获得高质量的InGaAs量子阱，一般采用GaAsP应变补偿垒层的方法，但会带来超出预期的发光峰。并且就算保持了总应变为零，仍会造成InGaAs/GaAsP界面粗糙化，引发局部微观缺陷，这同样会弱化量子阱的性能。如果直接采用GaAs做势垒层，生长温度的选择成了挑战。本申请提供了一种量子阱结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、下势垒层、势阱层和上势垒层；所述上势垒层包括低温势垒层和高温势垒层，所述势阱层、所述低温势垒层与所述高温势垒层依次层叠。优化低温、高温势垒层的厚度分配和生长温度，提高量子阱材料的生长质量。