[发明专利]一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种以氧化铜作为光吸收层的pin结构太阳能电池的制备方法，基于电化学沉积法，采用硝酸锌配成水溶液，pH值调整为4，控制溶液温度为60℃，沉积电压为‑0.6～‑1.3V，沉积时间为1～3min，经处理后的ITO上制备ZnO薄膜作为n层；CuSO4水溶液加入乳酸，用KOH溶液调整溶液的pH值为12.5，控制溶液温度为40℃，沉积电流为‑1～‑3mA/cm2，沉积时间为5～10min，ZnO薄膜上制备Cu2O薄膜作为i层；Cu(NO3)2和NH4NO3配成溶液，用NH4OH将溶液的pH值调整至为8～10，室温条件下在Cu2O薄膜上沉积CuO薄膜作为p层；采用蒸发法在p‑CuO薄膜和ITO上蒸镀方形结构In电极。本发明提高太阳能电池的光吸收率并有望提高光电转换效率。