[发明专利]一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于PERC的钝化接触电池的制备方法，包括(1)、在制绒后的晶体硅基体的单面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；(2)、磷扩散，在前表面形成浅掺杂区域，多晶硅层变成掺杂多晶硅层；在背表面形成重掺杂区域；掺杂多晶硅层与重掺杂区域上均形成含磷氧化层；(3)、在前表面局部印刷耐酸浆料层；(4)、在局部印刷耐酸浆料层所在区域制备局部掺杂多晶硅层；(5)对基体双面进行沉积，形成前、背面钝化减反射薄膜；(6)、在背面钝化减反射薄膜上进行开膜；(7)、在局部掺杂多晶硅层所在区域和开膜所在区域进行印刷，并烧结，分别形成正表面金属电极和背表面金属电极。本发明制备工艺简单，稳定性可靠，适用于大规模量产。