[发明专利]一种显示装置在审
申请号: | 202010135140.5 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN113363280A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 唐兆兵;李富琳;乔明胜 | 申请(专利权)人: | 海信视像科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 冯艳莲 |
地址: | 266555 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种显示装置,包括:衬底基板,具有承载作用;量子点发光二极管器件,位于衬底基板上;电介质层,位于量子点发光二极管器件背离衬底基板一侧的表面,用于增强量子点发光二极管器件向背离衬底基板一侧的出射光线的透过率。本发明提供的QLED器件为顶发射结构,为了提高顶发射器件的出光效率,在QLED器件的出光侧设置了电介质层,电介质层由透明材料制作而成,且电介质层的折射率与厚度满足增强QLED器件出射光透过的条件,由此可以提高QLED器件出光侧的透过率,从而提升QLED器件的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的