[发明专利]一种制造微纳米台阶阵列结构的离子束抛光加工方法有效
| 申请号： | 202010131772.4 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111421390B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李平;段辉高;王兆龙 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B13/00;B24B51/00;B24B49/12;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人： | 刘桂荣 |
| 地址： | 410082*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造微纳米台阶阵列结构的离子束抛光加工方法，该方法首先准备一片衬底，在衬底上沉积一定微纳米厚度的电介质层薄膜，并对电介质层薄膜的厚度与表面形貌进行观测；通过单点驻留抛光试验确定电介质层薄膜的离子束抛光工艺去除函数；根据单点驻留去除函数确定等效的光栅扫描去除函数与微纳米台阶高度，并采用栅格路径扫描法对电介质层薄膜开展不同扫描速度条件下的分区域加工；利用检测装置对单个微纳米台阶的高度、面形精度和表面粗糙度进行检测并判别；最后将微纳米台阶加工信息保存至数据库。本方法不仅工艺简单、可操作性强，适用于电介质层薄膜表面的大面积、阶跃式微纳米台阶阵列的高效率超精密制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 纳米 台阶 阵列 结构 离子束 抛光 加工 方法 | ||
【主权项】：
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