[发明专利]基于铌酸锂-硅晶圆的光电单片集成系统有效
| 申请号： | 202010111301.7 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111273464B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邹卫文;王静;徐绍夫;刘建国 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02F1/01 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于铌酸锂‑硅晶圆的光电单片集成系统包含集成光路模块、光电转换模块与集成电路模块通过半导体CMOS工艺集成在同一衬底上，避免了模块间的封装。实现真正的单片集成，分别进行光信号的传输与处理、光信号转换为电信号、电信号的传输与处理。本发明发挥了铌酸锂材料优异的电光性能与硅基材料的优势，从而使得光电系统具备更优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 硅晶圆 光电 单片 集成 系统 | ||
【主权项】：
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