[发明专利]基于铌酸锂-硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法有效
| 申请号： | 202010101410.0 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111176053B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 邹卫文;徐绍夫;王静;王兴军 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;北京大学 |
| 主分类号： | G02F7/00 | 分类号： | G02F7/00;G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于铌酸锂‑硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法，利用一种新型晶圆(铌酸锂‑硅晶圆)，实现了包括电光调制器阵列、可调延时线阵列、电子电路等在内的电光多器件单片集成光模数转换系统。使得多种器件在同一个芯片上制作出来，保证了系统的性能优势及其稳定性。此外，本发明提出了一种CMOS兼容的系统制备方式，使得基于铌酸锂‑硅晶圆的单片集成光模数转换系统可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 硅晶圆 单片 集成 光模数 转换 系统 制备 方法 | ||
【主权项】：
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