[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 202010085368.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111273496B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李兰艳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，该制备方法包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上制备薄膜晶体管阵列；在所述薄膜晶体管阵列上依次制备钝化保护层、彩色滤光层和有机绝缘层；在所述有机绝缘层上采用第一成膜参数制备第一像素电极层；在所述第一像素电极层上采用第二成膜参数制备第二像素电极层。相较于现有技术中阵列基板的制备方法，本发明通过ITO分步成膜的方法来改善ITO的倒角现象，通过在制备像素电极时采用不同的成膜参数制备第一像素电极层和第二像素电极层，使得第一像素电极层的结晶度和第二像素电极层的结晶度接近，进而使得第一像素电极层的蚀刻速率和第二像素电极层的蚀刻速率大致相等，避免ITO出现倒角现象。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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