[发明专利]银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法有效
申请号: | 202010077581.4 | 申请日: | 2020-01-30 |
公开(公告)号: | CN111482617B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 张玲洁;沈涛;暴宁钟;杨辉;樊先平 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;B22F1/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明涉及银纳米线基复合材料制备技术,旨在提供一种银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法。包括:将聚乙烯吡络烷酮和阳离子结构诱导剂的乙二醇溶液混合反应后,滴加AgNO |
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搜索关键词: | 纳米 表面 原位 生长 金属 氧化物 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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