[发明专利]银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法有效

专利信息
申请号: 202010077581.4 申请日: 2020-01-30
公开(公告)号: CN111482617B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 张玲洁;沈涛;暴宁钟;杨辉;樊先平 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24;B22F1/00;B22F1/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及银纳米线基复合材料制备技术,旨在提供一种银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法。包括:将聚乙烯吡络烷酮和阳离子结构诱导剂的乙二醇溶液混合反应后,滴加AgNO3的乙二醇溶液进行反应,获得“点串线”型银纳米线基金属核点复合材料;以有机溶剂清洗后,在100~160℃下处理10~30min,得到银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料。相比于传统银纳米线基复合材料,本发明制备的银纳米线基金属氧化物核点复合材料可以有效地降低传输电子的散射作用,表现出更好的导电性能。
搜索关键词: 纳米 表面 原位 生长 金属 氧化物 复合材料 制备 方法
【主权项】:
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