[发明专利]一种用于Mocvd反应装置的钼罩

摘要

本发明公开了一种用于Mocvd反应装置的钼罩，包括钼罩本体，钼罩本体安装在Mocvd反应装置的内腔，且钼罩本体的安装高度不低于Mocvd反应装置中加热器水平面，钼罩本体的高度为140‑160mm，钼罩本体的直径为708‑713mm，钼罩本体的底部设置有钼罩拖板，且钼罩本体与钼罩拖板一体成型，钼罩本体的侧壁安装有固定支撑片。本发明取缔了原厂设计的Extender（缓冲环）的结构，避免了缓冲环与工艺腔室保护罩间隙积聚颗粒的问题，提升Mocvd反应装置生产Run数及外延片工艺均匀性，同时解决了固定支撑片与钼罩的固定点位少，高温易脱落，并且钼罩会出现不定向变形的问题。