[发明专利]一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统有效

专利信息
申请号: 202010039012.0 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN111122654B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 张岩;董伟;赵然;黄甜甜;马鹏翔;付吉国;王美林 申请(专利权)人: 国宏华业投资有限公司
主分类号: G01N25/72 分类号: G01N25/72
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 董李欣
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统,其特征在于:包括左固定座(1)、右固定座(2)、SiC单晶片(3)、PC(41)、电源(42)、第一信号发生器(51)、第一感应加热器(61)、第一感应加热线圈(71)、第一热像仪(81)、第二信号发生器(52)、第二感应加热器(62)、第二感应加热线圈(72)、第二热像仪(82);还具有一种利用该晶体表面缺陷的双面红外热像检测系统对SiC单晶片在短时间内完成双面检测的计算方法,包括以下步骤:缺陷图库建立步骤、开机检测步骤、选择卡部与放置晶片的步骤、检测步骤、形成报告步骤、批量测试步骤。
搜索关键词: 一种 晶体 表面 缺陷 双面 红外 检测 系统
【主权项】:
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