[发明专利]新型二维异质结材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010024832.2 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111153431B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 柯福生;刘晓晨 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01G23/00 | 分类号： | C01G23/00;C01G31/00;C01G33/00;C01G35/00;C01B19/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 艾小倩 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型二维异质结材料及其制备方法。本发明提供了一种高效、操作简单的方法制备Cu插层的TMDs化合物，该方法可替代传统的高温固相反应，避免将缺陷引入TMDs体相中，且Cu的嵌入浓度可精确调控，最大值可达1.2，得到的插层化合物性质均一；该方法拓宽了异质结材料的合成途径，并发掘二维导体/半导体异质结材料的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 二维 异质结 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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